Оптические свойства кремниевых нанопилларов со встроенным вертикальным p-n-переходом

Оптические свойства кремниевых нанопилларов со встроенным вертикальным p-n-переходом Научная публикация

Журнал

Физика и техника полупроводников
ISSN: 0015-3222

Вых. Данные

Год: 2022, Том: 56, Номер: 3, Страницы: 340-348 Страниц : 9 DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52121.9761

Авторы

Басалаева Л.С. ¹ , Царев А.В. ^1,2 , Аникин К.В. ¹ , Вебер С.Л. ^2,3 , Крыжановская Н.В. ⁴ , Настаушев Ю.В. ¹

Организации

1	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
2	Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
3	Международный томографический центр Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
4	Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет им. Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Представлены результаты исследования резонансного отражения света упорядоченными массивами кремниевых (Si) нанопилларов. Высота Si нанопилларов составляла 450 нм. Было изучено влияние процесса окисления Si нанопилларов в концентрированной азотной кислоте на положение резонансов в спектрах отражения. Доказано слабое влияние дополнительного полимерного покрытия на характеристики отражения от структур. На основе результатов экспериментального исследования и прямого численного моделирования с применением трехмерного алгоритма конечных разностей во временной области (3D FDTD) установлено, что зависимость резонансной длины волны Si нанопилларов от диаметра Si нанопилларов является линейной функцией c ненулевым смещением, зависящим от периода. Ключевые слова: кремниевые нанопиллары (наностолбики), структурный цвет, диэлектрическая нанофотоника.

Басалаева Л.С. , Царев А.В. , Аникин К.В. , Вебер С.Л. , Крыжановская Н.В. , Настаушев Ю.В.
Оптические свойства кремниевых нанопилларов со встроенным вертикальным p-n-переходом
Физика и техника полупроводников. 2022. Т.56. №3. С.340-348. DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52121.9761

Basalaeva L.S. , Tsarev A.V. , Anikin K.V. , Veber S.L. , Kryzhanovskaya N.V. , Nastaushev Y.V.
Optical properties of silicon nanopillars with a built-in vertical p-n-junction
Semiconductors. 2022. V.56. N3. P.227-234. DOI: 10.21883/sc.2022.03.53067.9761 OpenAlex

Нет идентификаторов

Пока нет цитирований